深科技拟定增不超17钢窗.1亿元 投资存储先进封测与模组制造项目-资讯钢窗

深科技拟定增不超17.1亿元 投资存储先进封测与模组制造项目-资讯

深科技公告，公司拟非公开发行不超89,328,225股股票，募资不超171,000万元，扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。

据披露，存储先进封测与模组制造项目总徽章投资306,726.40万元，其中建设投资296,471.17万元，铺底流动资金10,255.23万元。项目建设周期为36个月，主要建水平尺仪设内容为：

（1）DRAM存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产电脑插座能为4,800万颗

（2）存储模组业务，计划全部达产后月均产能为246万条模组

（3）NANDFlash存储芯片封装业务，计划全部达产后月均产能为320万颗

本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高工业插座端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。

随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。

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